Irf1405 Mosfet N Channel Transistor, Ups, Ssdielect

Descripción

Específicamente diseñado para aplicaciones de automoción , esta
diseño de la raya planar de HEXFET® potencia MOSFET
utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr
extremadamente baja resistencia por unidad de superficie de silicio Adicional

características de este MOSFET:

potencia HEXFET son un 175 ° C
temperatura de operación de unión , la velocidad de conmutación rápida
y una mejor calificación avalancha repetitiva . estos beneficios
se combinan para hacer este diseño extremadamente eficiente y
dispositivo fiable para su uso en aplicaciones de automoción y una
amplia variedad de otras aplicaciones.