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Irfp250 Mosfet N Channel Transistor, Ups, Ssdielect
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Descripción
IRFP250N, Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N. VDSS = 200V. RDS (on) = 75mO. ID = 30A. PD= 214 W. VGS=± 20 V. IAR=30 A. Empaque TO-247.
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