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Efectivo

Irf1405 Mosfet N Channel Transistor, Ups, Ssdielect

Características del producto

Marca	IR
Modelo	IRF1405
Código del transistor	IRF1405
Formato de venta	Unidad

Tipo de encapsulado	Orificio pasante (TH)
Voltaje máximo soportado	55V
Corriente máxima soportada	55 A
Polaridad	CANAL N
Es kit	No

Descripción

Específicamente diseñado para aplicaciones de automoción , esta
diseño de la raya planar de HEXFET® potencia MOSFET
utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr
extremadamente baja resistencia por unidad de superficie de silicio Adicional

características de este MOSFET:

potencia HEXFET son un 175 ° C
temperatura de operación de unión , la velocidad de conmutación rápida
y una mejor calificación avalancha repetitiva . estos beneficios
se combinan para hacer este diseño extremadamente eficiente y
dispositivo fiable para su uso en aplicaciones de automoción y una
amplia variedad de otras aplicaciones.