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Características del producto
Características principales
Marca | ON Semiconductor |
|---|---|
Modelo | C01 |
Código del transistor | NGD82010AG |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Tipo de encapsulado | Montaje en superficie (SMD) |
|---|---|
Voltaje máximo soportado | 400V |
Corriente máxima soportada | 20 A |
Potencia máxima soportada | 8.000 W |
Descripción
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El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
Características:
• Polaridad de transistor: N-Channel
• Disipación total del dispositivo (Pc): 115
• Tensión colector-emisor (Vce): 400
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5
• Tensión emisor-compuerta (Veg): 18
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 20
• Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
• Capacitancia de salida (Cc), pF: 75
• Emcapsulado:To252
Aplicaciones:
• Inversores solares
• UPS
• IH Cooker
• Soldadores y PFC donde las bajas pérdidas de conducción son esenciales.
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Opiniones del producto
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| Calidad de los materiales | |
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5 comentariosCalificación 1 de 5
No funcionan, no son de buena calidad. No los recomiendo.
Calificación 5 de 5
Cumplio mis expectativas buen producto recomendable.
Calificación 1 de 5
No es la aplicación de la referencia.
Calificación 5 de 5
Excelente.
Calificación 2 de 5
No funcionó correctamente.