Cep83a3 100a 30v N Mosfet Enhacement Field Effect To-220
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Descripción
Cep83a3 100a 30v N Mosfet Enhacement Field Effect To-220
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEP83A3/CEB83A3
FEATURES
30V, 100A, RDS(ON) = 5.3m¿ @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 package.
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