Transistor Fgh40n60sfd Fgh40n60 40n60 Igbt 600 V 80a To-247

Descripción

Transistor 40n60 Fgh40n60sfd Fgh40n60 Igbt 600 V 80a To-247

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IGBT FGH40N60SFDTU 600V 80A 290W TO-247-3

Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Tipo IGBT Tope de campo
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Current – Collector (Ic) (Max) 80A
Current – Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9 V a 15 V, 40 A
Power – Max 290W
Energía de conmutación 1.13 mJ (Encendido), 310 µJ (Apagado)
Tipo de entrada Estándar
Carga de compuerta 120nC
Td (encendido/apagado) a 25°C 25 ns/115 ns
Condiciones de prueba 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 45ns
Temperatura de operación -55 °C 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247

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