Ao3407 Transistor Mosfet Canal P Smd 30v 5.3a A79t

Descripción

AO3407 TRANSISTOR MOSFET CANAL P SMD 30V 5.3A A79T

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Transistor MOSFET canal P de montaje superficial. Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 30. Corriente de drenaje continua máxima (A) 5.3. Encapsulado SOT-23. Marking A79T

CARACTERISTICAS:


ESPECIFICACIONES:
Voltaje de fuente de drenaje (VDS) -30
Voltaje de fuente de puerta (VGS) +/- 20 V
Corriente de drenaje continua (ID) 5,3 A
Corriente de drenaje pulsada (Idm) -20A
Disipación de potencia máxima (PD): TA = 25 °C 1,4 W ~ TA = 75 °C 1 W
Intervalo de temperatura de almacenamiento y unión operativa TJ, Tstg -55 a 150 °C
Resistencia térmica de la unión al ambiente (montado en PCB) RqJA 125 °C/W
Referencia de producto: AO3407 A79T


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Tienda Virtual: UPARTRONICA
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Garantía del vendedor: 30 días