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Características del producto

Características principales

Marca
Genérica
Código del transistor
TIP31C
Formato de venta
Pack
Unidades por pack
3

Otros

Tipo de encapsulado
TO-220
Voltaje máximo soportado
100V
Corriente máxima soportada
3 A
Potencia máxima soportada
40 W
Polaridad
NPN

Descripción

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TIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
Cantidad:
• 1 Unidad –Transistor TIP31C BJT NPN de potencia 100V 3A
Características:
• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario TIP32C
• Transistor equivalente a TIP31, TIP31A, TIP31B, NTE291
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector – Emisor (VCE ) : 100V
• Voltaje Colector – Base (VCB ) : 100V
• Voltaje Emisor – Base (VEB ) : 5V
• Corriente Colector (IC ) : 3A
• Corriente Base (IB ) : 1A
• Potencia Máxima Disipada (PD : 40W
• Ganancia Máxima (hFE ) : 50
• Frecuencia de Trabajo (FT ) : 3 MHz
• Temperatura de trabajo: -65 C – +150 C
Aplicación:
• Procesado de Señales
• Administración de Potencia
• Dispositivos Portátiles
• Electrónica de Consumo e Industrial
• Amplificador de Audio y Driver

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