Irfp250 Transistor Mosfet Canal N 200v/33a

Descripción

IRFP250 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 200V/33A

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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP250NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V
Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10V
Disipación de potencia Pd de 214W a 25 °C
Corriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° C
La temperatura de funcionamiento es desde -55°C hasta 175°C
Aplicaciones: Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo

CARACTERISTICAS:
Polaridad: Canal N
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Intensidad drenador continua Id: 30 A
Resistencia de activación Rds(on): 75 mohm
Disipación de potencia Pd: 214 W
Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
Encapsulado TO-247
3 pines


ESPECIFICACIONES:
Referencia de producto: IRFP250


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Tienda Virtual: SSED
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