Irf1405 Transistor Mosfet Canal N 55v/169a

Descripción

IRF1405 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 55V/169A

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Transistor mosfet IRF1405 Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 °C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
175 ° C Temperatura de trabajo
Valor dinámico dV / dt
Totalmente avalancha
Automotriz calificado
Aplicaciones: Automoción

CARACTERISTICAS:
Polaridad: CH-N
Tensión drenado-fuente: 55 V
Corriente de drenaje continua: 169 A
Disipación de potencia: 330 W
Tensión umbral: 4 V
Tensión Vgs de prueba Rds(on): 10 V
Resistencia en estado conductor Rds(on): 0.0053 Ohms
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 175 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3


ESPECIFICACIONES:
Referencia de producto: IRF1405


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Tienda Virtual: SSED
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