Rd30hvf1 Transistor Mosfet Para Transmisor Fm 30w Rf

Descripción

RD30HVF1 TRANSISTOR PARA RF

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RD30HVF1 es un transistor tipo MOSFET diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF.

CARACTERISTICAS:
Ganancia de alta potencia:
P 30W, Gp 14.7dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz
Alta eficiencia: 60% típ.
APLICACIONES:
Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF Equipos de radio móviles.


ESPECIFICACIONES:
VDSS Voltaje de drenaje a fuente Vgs = 0V 30 V
VGSS Puerta a voltaje de fuente Vds = 0V +/- 20 V
Disipación de canal Pch Tc = 25 ° C 75 W
Pin Potencia de entrada Zg = Zl = 50O 2,5 W
ID Corriente de drenaje - 7 A
Temperatura del canal Tch - 175 ° C
Tstg Temperatura de almacenamiento - -40 a +175 ° C
Rth j-c Unión de resistencia térmica a caja 2.0 ° C / W
Referencia de producto: RD30HVF1 RF


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Tienda Virtual: UPARTRONICA
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