Transistor Bipolar 2sc5200 (bjt) Npn

Descripción

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2SC5200 Transistor BJT NPN es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación hFE que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
Cantidad:
• 1 Unidad – Transistor Bipolar 2SC5200 BJT NPN
Características:
• Fabricante: Toshiba
• Categoría : Transistor Bipolar BJT
• Empaquetado: Through Hole TO-3P-3
• Polaridad del transistor: NPN
• Configuración: Simple
• Máx voltaje VCEO colector-emisor: 230V
• Tensión VCBO colector- base: 230V
• Voltaje VEBO emisor-base: 5V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
• Corriente CC máxima de colector : 15 A
• Dp- Distancia de potencia : 150W
• Producto para ganar Ancho de banda fT: 30MhZ
• Temperatura de funcionamiento: – a 150C
• Colector DC/ganancia Base hfe Mínima: 55
• Máx. ganancia de CC hfE: 160
• Dimensiones: 26mm x 20.5mm x 5.2mm
• Peso: 6,756 g
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.