Rjh60f5dpq Rjh60f5 N Canal Igbt To-247 80a 600v Transistor
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Características principales
Marca | Compu tools |
|---|---|
Código del transistor | Rjh60f5dpq Rjh60f5 |
Formato de venta | Unidad |
Descripción
RJH60F5DPQ RJH60F5 N Channel IGBT TO-247 80A 600V original
RJH60F5DPQ
Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Features
•Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
•Built in fast recovery diode in one package
•Trench gate and thin wafer technology
•High speed switching
tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ohm, Ta = 25°C, inductive load)
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RJH60F5DPQ
IGBT de canal N de silicio
Conmutación de energía de alta velocidad
Características
• Bajo voltaje de saturación de colector a emisor
VCE(sat) = 1,37 V típ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25 °C)
• Diodo de recuperación rápida integrado en un solo paquete
•Trench gate y tecnología de obleas delgadas
•Conmutación de alta velocidad
tr = 85 ns típ. (con IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 ohmios, Ta = 25 °C, carga inductiva).
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