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Características del producto

Características principales

Marca
IRF9530N TO-220
Código del transistor
IRF9530N TO-220
Cantidad
2 Unidades

Otros

Unidades por pack
2
Voltaje máximo soportado
100V
Corriente máxima soportada
14 A

Descripción

*** TODOS NUESTROS PRODUCTOS INCLUYEN IVA, NO FACTURAMOS COSTO DE ENVIO, EXPEDIMOS FACTURA ELECTRONICA CON LOS DATOS INGRESADOS PARA LA FACTURACION***


DISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS E IMPLEMENTOS PARA IMPRESORAS 3D.

ENVÍOS A TODO EL PAÍS, Y SE ENTREGA AL SIGUIENTE DÍA EN GRAN PARTE DE CIUDADES.

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DESCRIPCIÓN:

Este es el MOSFET de potencia de canal P IRF9530. IRF9530 Power MOSFET tiene una baja resistencia térmica y el bajo costo de paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Los MOSFET de quinta generación Utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El MOSFET de potencia de canal P IRF9530 viene en un paquete TO-220. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones industriales comerciales con niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo de empaque del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Canal P
Totalmente clasificado como avalancha
I D @ T C = 25 ° C Corriente de drenaje continua, V GS @ -10V -14 A
I D @ T C = 100 ° C Corriente de drenaje continua, V GS @ -10V -10 A
I DM ¿ Corriente de drenaje pulsada? -56 A
P D @T C = 25 ° C Disipación de energía 79 W
Factor de reducción lineal 0,53 W / ° C
V GS Voltaje de puerta a fuente ± 20 V
E AS ¿Energía de avalancha de pulso único? 250 mJ
I AR Corriente de avalancha ?? -8,4 A
E AR ¿ Energía de avalancha repetitiva? 7,9 mJ
dv / dt Recuperación máxima de diodos dv / dt? -5,0 V / ns

LA COMPRA INCLUYE:

2x TRANSISTOR MOSFET IRF9530N TO-220

Garantía del vendedor: 15 días

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