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Características del producto

Características principales

Marca
Transistor MOSFET P
Código del transistor
FDN340P SMD

Descripción

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Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904

Cantidad:

1 PAQUETE – 10 TRANSISTORES FDN340P MOSFET P TREN

Características:

Estilo de montaje: SMD/SMT SOT-23
Paquete / Cubierta: SSOT-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: P-Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 20 V
Id – Corriente de drenaje continua: 2 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
>Vgs – Tensión entre puerta y fuente: 8 V
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 500 mW (1/2 W)
Configuración: Single
Modo canal: Enhancement
Transconductancia hacia delante – Mín.: 9 S
Tiempo de caída: 9 ns
Tiempo de subida: 9 ns
Retardo típico de apagado: 27ns
Retardo típico de encendido: 10ns
Dimensiones:
Altura: 1.12 mm
Longitud: 2.9 mm
Ancho: 1.4 mm
Peso de la unidad: 30 mg

Aplicaciones:

Circuitos electrónicos, como amplificador o como switch

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