3310gh Ap3310gh To-252 Mosfet De Potencia.

Descripción

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET.

. Simple Drive Requirement
. 2.5V Gate Drive Capability
. Fast Switching Characteristic

BVDSS -20V
RDS(ON) 150mOhmio
ID -10A

DESCRIPTION:
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the
best combination of fast switching, low on-resistance and Cost-effectiveness.

This device is suited for low voltage and battery power applications.
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MODO DE MEJORA DEL CANAL P
MOSFET DE POTENCIA.

. Requisito de unidad simple
. Capacidad de accionamiento de puerta de 2,5 V
. Característica de cambio rápido

BVDSS -20V
RDS (ENCENDIDO) 150mOhmio
ID -10A

DESCRIPCIÓN:
Los MOSFET de potencia avanzados de APEC proporcionan al diseñador la
la mejor combinación de conmutación rápida, baja resistencia a la conexión y rentabilidad.

Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y energía de la batería.