Fqpf10n60c 10n60c Mosfet 600v 10a To220f

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El FQPF10N60C es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y corrección de factor de potencia activa.

Capacidad dv / dt mejorada
Cambio rápido
Carga de puerta baja (típico 44 nC)
Crss bajo (típico 18 pF)
Avalancha probada al 100%
Aplicaciones: Para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia activa, balasto de lámpara electrónica basado en topología de medio puente

Información Básica

Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 600 V
Voltaje de puerta a fuente: ± 30 V
Corriente de drenaje: 9.5 A
Corriente de drenaje pulsada: 38 A
Potencia de disipación: 156 W
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3


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