Irf5210 Transistor Potencia Mosfet Canal P -100v A -40a
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Características del producto
Características principales
Marca | Genérica |
|---|---|
Código del transistor | Irf5210 |
Otros
Voltaje máximo soportado | 100V |
|---|---|
Corriente máxima soportada | 40 A |
Descripción
////////// DISPONIBILIDAD DE ENTREGA INMEDIATA. ///////
IRF5210 TRANSISTOR MOSFET CANAL P -100V/-40A
Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A.
Empaque TO-220.
ESPECIFICACIONES:
Continuous Drain Current, VGS @ 10V: -40A máximo
Drain-to-Source Breakdown Voltage: -100V máximo
Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
Encapsulado: TO220
Referencia de producto: IRF5210
Tienda Virtual Upartronica
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