Irf50n06 Transistor Mosfet Canal N 60v 50a Ssdielect

Descripción

IRF50N06 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 50A
Transistor MOSFET canal N, Útil para amplificadores de potencia, control de motores, inversores, entre otras aplicaciones.
CARACTERISTICAS:
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

ESPECIFICACIONES:
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 91 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Referencia de producto: IRF50N06

Tienda Virtual: SSdielect

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