Transistor Igbt 1mbh65d-090a
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![Transistor Igbt 1mbh65d-090a](https://http2.mlstatic.com/D_NQ_NP_782079-MCO31545863739_072019-O.jpg)
Descripción
Especificaciones
Fabricante: Fuji Electric
Categoría de producto: Transistores IGBT
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-3P
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 900 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3.2 V
Máximo voltaje puerta-emisor: +/- 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 65 A
Dp - Disipación de potencia : 300 W
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