Irf5210 Mosfet Canal P Negativo Ssdielect

Descripción

IRF5210 MOSFET CANAL P
Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A.
Empaque TO-220.
ESPECIFICACIONES:
Continuous Drain Current, VGS @ 10V: -40A máximo
Drain-to-Source Breakdown Voltage: -100V máximo
Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
Encapsulado: TO220

Referencia:IRF5210
Tienda Virtual: SSdielect

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