Transistor Mosfet Irfb4110

Descripción

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Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100 porciento probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Contenido:

- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB4110
Características:

- Tipo de canal de control: Canal N
- Disipación de potencia máxima (Pd): 370 W
- Voltaje máximo de drenaje-fuente |Vds|: 100 V
- Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Puerta máxima -Voltaje umbral |Vgs(th)|: 4 V
- Corriente máxima de drenaje |Id|: 180 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C
- Carga total de puerta (Qg): 150 nC
- Tiempo de subida (tr): 67 nS
- Drenaje- Capacitancia de la fuente (Cd): 670 pF
- Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0,0045 ohm
- Paquete: TO220AB