Transistor Mosfet Stn4nf20l
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Características del producto
Características principales
Marca | Genérica |
|---|---|
Modelo | STN4NF20L |
Código del transistor | G249 |
Formato de venta | Pack |
Otros
Unidades por pack | 2 |
|---|---|
Tipo de encapsulado | SOT - 223 |
Voltaje máximo soportado | 20V |
Corriente máxima soportada | 1 A |
Potencia máxima soportada | 3.3 W |
Polaridad | N - Channel |
Descripción
Descripción
SOMOS JA-BOTS
DISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
Cantidad:
1 unidad – Mosfet STN4NF20L
Características:
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.3 W
Voltaje máximo drenador – fuente Vds: 200 V
Voltaje máximo fuente – puerta Vgs: 20 V
Corriente continua de drenaje Id: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs(th): 3 V
Carga de la puerta (Qg): 0.9 nC
Tiempo de subida (tr): 2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
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