2n5551 Transistor Npn To92 X 20un.

Descripción

2N5551 Transistor NPN TO92 x 20un.

Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92
Características

Transistor Bipolar BJT NPN de alto voltaje
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
IC: 600 mA max.
PD: 625 mW max.
VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
hFE: 80 min. a IC=1 mA, VCE=5 V
fT: 100 MHz mínimo
VCEsat: 0.2 V max. a IC = 50 mA
Encapsulado: TO-92
Complementarios: 2N5400

Más información

Hoja de datos Datasheet


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Garantía del vendedor: 30 días