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Irf9640 Irf9640n Transistor Canal-p Potencia Mosfet
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Descripción
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W
Maximum Drain-Source Voltage 'Vds': 200 V
Maximum Gate-Source Voltage 'Vgs': 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage 'Vgs(th)': 4 V
Maximum Drain Current 'Id': 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 44 nC
Drain-Source Capacitance (Cd): 1200 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.5 Ohm
Package: TO-220
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