K8a50d Toshiba Mosfet

Descripción

K8A50D Toshiba MOSFET

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K8A50D field effect tube 8A 500V triode NPN tube TK8A50D

Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 500 V
Id – Corriente de drenaje continua: 7.5 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 760 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 30 V, + 30 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 V
Qg – Carga de puerta: 16 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 35 W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MOSVII
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 15 mm
Longitud: 10 mm
Producto: MOSFET
Serie: TK8A50DA
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: N-Channel Silicon MOSFET
Ancho: 4.5 mm
Marca: Toshiba
Transconductancia hacia delante – Mín.: 1 S
Tiempo de caída: 11 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 20 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40 ns
Peso de la unidad: 1.700 g